關於igbt的生活經驗
1、IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大。...
品牌型號:RedmibookPro15系統:Windows10IGBT半導體是一種新型的半導體器件,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優...
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